本課程首先介紹幾種常用功率半導(dǎo)體器件的基本原理及特性差異;其次詳細(xì)闡述MOSFET的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程,分析影響MOSFET開(kāi)關(guān)速度、損耗和EMI的關(guān)鍵因素,并對(duì)MOSFET的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)解讀;然后結(jié)合實(shí)際案例分析在不同典型電路和應(yīng)用領(lǐng)域中MOSFET的選型原則、失效機(jī)理及EMI整改方法;后重點(diǎn)介紹幾種主流電路仿真軟件在電源設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。以上內(nèi)容將通過(guò)理論分析結(jié)合實(shí)際應(yīng)用案例進(jìn)行詳細(xì)闡述。
【培訓(xùn)大綱】
1. 常用功率半導(dǎo)體器件的基本原理及特性對(duì)比分析
2. 功率MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程分析及EMI整改策略對(duì)比
3. 功率MOSFET關(guān)鍵參數(shù)解讀及選型原則
4. 功率MOSFET在電源中的應(yīng)用案例分析
5. 基于幾種典型電路仿真軟件的電源設(shè)計(jì)