1.Banba結構的原理

　　圖3.1為Banba結構的完整電路結構圖。

　　圖 3.1 Banba 結構完整電路圖

　　組成：第一部分為啟動電路，主要由MSA，MSB，MSC三個管子的性能來決定電路的自啟動；第二部分為放大器，采用二級Mille電路，并且從帶隙部分獲得偏置電流；第三部分為電路核心的帶隙部分。

　　Banba結構的特點：

　　1) .在傳統的帶隙基準電路中（如之前介紹的基本結構），輸出電壓Vref在1.25V左右，這就限制了電源電壓在1V以下的應用，而這個結構的Vref通過兩個電流的和在電阻上的壓降來實現：一個電流與三極管的VBE成正比，另一個與VT成正比，產生的基準電流通過MOS管M3鏡像到輸出電流，再通過輸出負載電阻R4決定輸出參考電壓（在保證MOS管正常工作的范圍內），方便改變所需產生的電壓值；

　　2) .放大器中采用Miller補償可以增加穩定性，采用PMOS管作為差分輸入。由于放大器在電路中起的作用是保證1、2電壓的相等，對核心部分沒有影響，所以此結構仍是Banba的思想；

　　3) .啟動電路使電路節點處于簡并狀態時也可以自動進入正常工作狀態，其自啟動

　　方法是采用一個額外的脈沖來實現的。雖然增加了元件數，卻能使制造和啟動過程簡化許多。

　　具體分析：

　　為了便于分析，圖3.2是Banba結構電路的基本結構。

　　圖 3.2 Banba 結構帶隙基準

　　圖3.2中，假設M1，M2，M3管的寬長比相同，則有：

　　(3.1)

　　由于運放的作用，，所以

　　(3.2)

　　那么基準電壓Vref就可以得到，

　　(3.3)

　　與式(2.9)相比，只要調節R4/R2的比值，就可以方便的調節基準電壓的值。同時也可以推導出此時Vref的溫度系數： 哪里有射頻培訓機構